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　　齊納二極管（穩壓二極管）：利用在PN結加反向電壓產生的雪崩擊穿而產生穩定電壓的二極管。
　　PN結二極管：是把P型半導體和N型半導體結合在一起的二極管。用矽或鍺做材料。用於整流的時候，被設計成可以通過比較大的電流。另外，用於小信號時電流變小，被設計成可以在開/關間高速切換。
　　江崎二極管（ 隧道二極管）：江崎二極管擁有利用隧道效應的負阻抗區。多用於微波的波源。
　　變容二極管：在PN結施加反向電壓時端口間的電容變化的二極管。容量根據空乏層擴大而變化。多用於收音機等電子調諧電路。

　　肖特基二極管：是利用金屬和半導體接觸時生成的肖特基勢壘的二極管。上升電壓低，因為一邊的端口是金屬，所以可以高速地開關。
　　光電二極管：光電二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。PN結型光電二極管與其他類型的光探測器一樣，在諸如光敏電阻、感光耦合元件（Charge-coupled Device, CCD）以及光電倍增管等設備中有著廣泛應用。
　　PIN二極管：以削減電容為目的，是有介於P型半導體和N型半導體之間夾著本征半導體的構造的半導體。可以高速地開關。
　　激光二極管：激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅動電路簡單、調製方便、耐機械衝擊以及抗震動等優點，但它對過電流、過電壓以及靜電幹擾極為敏感，因此，在使用時，要特別注意不要使其工作參數超過其最大允許值。
　　雪崩二極管：利用在PN結加反向電壓產生的雪崩擊穿而帶有負阻抗區的二極管。多用於微波的波源。
　　發光二極管：發光二極管簡稱為LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物製成，它在照明領域應用廣泛，在電路及儀器中作為指示燈。