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MOSFET的靜電容量：功率MOSFET在構造上，如圖1存在寄生容量。功率MOSFET在構造上，如圖1存在寄生容量 MOSFET的G (柵極) 端子和其他的電極間由氧化膜絕緣，DS (漏極、源極) 間形成PN接合，成為內置二極管構造。Cgs, Cgd容量根據氧化...

在對整流二極管進行電路設計時，選擇性能參數合適的整流二極管是非常重要的，以實際設計電路為例子。由圖可知，交流輸入端為：220V/50HZ，要求整流輸出的直流電壓為UO=60V，負載電流為IO=500mA；下麵是兩種計算方式：1.計算流過整流二極管的直流電流由於采...

晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類;1. 按結構分類:根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類,1. 按結構分類:根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管:雙是指Bi（2個）、極是指divola...

一個PN結加上電引線封裝起來就構成了二極管。下麵就簡要介紹一下PN節的構成以及其工作原理。PN結名思義就是由p型半導體和n型半導體組成的半導體交接界麵。對於p型半導體，由於在四價元素構成的半導體當中摻雜了三價元素，比如在矽中摻雜硼。三價元素的原子可以接受電子變成...

關於晶體管ON時的逆向電流：在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的。2. NPN-Tr的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有...

①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1;②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%;③VBE是0.55~0.75V;數字晶體管具有下麵的關係式。數字晶體管直流電流增益率的關係式